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场效应管

Part Number

Max. Drain-Source Voltage

Max. Gate-Source Voltage

Max. Drain Current

Max. Static Drain-Source On-Resistance

Max. Static Drain-Source On-Resistance

Gate Charge

Package

Circuit Figure

(VDSS)

(VGSS)

(ID)

(VGS=10V)

(VGS=4.5V)

Qg

 

 

 

 

 

Vgs=5.0V

PJ06N03D

25

20

60

0.006

0.009

39

TO-252

Fig. 78

PJ09N03D

25

20

50

0.009

0.016

22.1

TO-252

Fig. 78

PJ12N03D

25

20

30

0.012

0.022

14

TO-252

Fig. 78

PJ1870

20

12

6

-

0.019

22

TSSOP-8

Fig. 73

PJ4812

25

20

5.8

0.015

0.024

15.8

SOIC-08

Fig. 76

PJ6676

25

20

15

0.008

0.012

39

SOIC-08

Fig. 77

PJ6680

25

20

12

0.01

0.018

20.7

SOIC-08

Fig. 77

PJ6694

25

20

12

0.012

0.022

15

SOIC-08

Fig. 77

PJB75N75

75

20

75

0.011

-

46.5

TO-263

Fig. 79

PJD06N03

25

20

60

0.006

0.009

21.8

TO-252

Fig. 78

PJD09N03

25

20

50

0.009

0.012

16

TO-252

Fig. 78

PJD12P03L

-30

20

-12

0.028

0.036

14.2

TO-252

Fig. 85

PJD15N06L

60

20

15

0.04

0.05

17.2

TO-252

Fig. 78

PJP6000

60

20

60

0.014

-

40

TO-220AB

Fig. 83

PJP75N06

60

20

75

0.013

0.018

42

TO-220AB

Fig. 83

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